IPB020N08N5ATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPB020N08N5ATMA1 от Infineon и IPB024N10N5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 - 80V 2mOhm OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPB020N08N5ATMA1 - 80V 2mOhm OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPB020N08N5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPB024N10N5ATMA1 IPB024N10N5ATMA1 - 100V 2.4mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB024N10N5ATMA1 - 100V 2.4mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB024N10N5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPB020N08N5ATMA1 IPB024N10N5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,45 $1,86
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 120 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 480 A —
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.0 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 300 W —
Рабочая температура перехода -55C to +175C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value, approx 0.5 C/W] —
Корпус PG-TO263-3 (D2PAK-2) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated (EAS) [DATA_NEEDED: EAS value] —
Configuration Single N-channel, 3-pin (2+Tab) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C (junction)
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Без галогенов — Yes (per Infineon product family policy)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену