IPB025N10N3GATMA1 vs IPB027N10N3GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPB025N10N3GATMA1 от Infineon и IPB027N10N3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB025N10N3GATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPB025N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,74 $1,62
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A 2.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 2.58 nF —
Gate Charge (Qg) Typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
Корпус PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab PG-TO263-3 (D2PAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +175C (junction) -55°C to +175°C (TJ)
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 (Trench MOSFET)
Уровень MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Статус RoHS Compliant Compliant
Без галогенов Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mΩ
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 2.7 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values]
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: exact °C/W value]
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену