IPB107N20N3GATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPB107N20N3GATMA1 от Infineon и BSC042NE7NS3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | IPB107N20N3GATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,18 | $1,24 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 88 A | 100 A |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | — |
| Диапазон рабочих температур | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] | -55C to +150C |
| Корпус | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | OptiMOS 3 |
| Part Number | — | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 19 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| Уровень MSL | — | 1 |