IPD135N03LGATMA1 vs BSC019N04NSGATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD135N03LGATMA1 от Infineon и BSC019N04NSGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSGATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC019N04NSGATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC019N04NSGATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD135N03LGATMA1 BSC019N04NSGATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,22 $0,58
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ —
Тип транзистора N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 30 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 31 W (Tc) —
Корпус / Типоразмер PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) —
Диапазон рабочих температур -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS) -55C to +150C
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Finish Yes —
Qualification Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade) —
Technology — OptiMOS (trench)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=10V — 2.5 mΩ
RDS(on) typ at VGS=10V — 1.9 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 125 W
Корпус — PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену