IPD33CN10NGATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD33CN10NGATMA1 от Infineon и BSC117N08NS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPD33CN10NGATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon | PG-TO252
IPD33CN10NGATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | IPD33CN10NGATMA1 | BSC117N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,32 | $0,46 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 27 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 58 W | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | OptiMOS 5 |
| Корпус | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| Число выводов | 3 (Gate, Drain, Source) | 8 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C (TJ) | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Уровень MSL | 1 | 1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC117N08NS5ATMA1 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 49 A (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 11.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 50 W |