IPD50N04S408ATMA1 vs IPD50N03S4L06ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD50N04S408ATMA1 от Infineon и IPD50N03S4L06ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD50N04S408ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 - 30V 50A N-Ch OptiMOS | Infineon

IPD50N03S4L06ATMA1 - 30V 50A N-Ch OptiMOS | Infineon

IPD50N03S4L06ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD50N04S408ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,69 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (V DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I D, Tc) 50 A —
Power Dissipation (P D, Tc) 46 W —
Корпус PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin (2 + tab), surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55 °C to +175 °C —
Уровень MSL MSL1 (260 °C peak reflow) MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Tested 100 % Avalanche tested —
Green Package (RoHS) RoHS compliant —
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] —
On-State Resistance (R DS(on)) [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] —
Total Gate Charge (Q G) [DATA_NEEDED: Q G typical] —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (V_DS) — 30 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 50 A
On-State Resistance (R_DS(on) max) — 5.5 mOhm at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — 2.2 V
Total Gate Charge (Q_g) — 31 nC at V_GS = 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 2.33 nF
Output Capacitance (C_oss) — 600 pF
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) — 34 pF
Power Dissipation (P_D) — 56 W at Tc = 25 C
Рабочая температура перехода — -55 C to +175 C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Статус RoHS — Compliant (Green Package)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену