IPD50P04P4L11ATMA2 vs IRFR5410TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD50P04P4L11ATMA2 от Infineon и IRFR5410TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD50P04P4L11ATMA2 IRFR5410TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,82 $0,71
Тип транзистора P-Channel MOSFET, enhancement mode —
Drain-Source Voltage VDS -40 V —
Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) -50 A —
On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) 10.6 mΩ typical —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -2.5 V typical —
Typical Gate Charge Qg 45 nC —
Power Dissipation PD (TC = 25 °C) 58 W —
Рабочая температура перехода -55 °C to +175 °C —
Корпус PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Число выводов 3 (Drain / Tab / Source / Gate) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
Диапазон рабочих температур — -55 °C to +150 °C (TJ)
Technology — HEXFET (advanced process, Gen 5)
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену