IPD60R380C6ATMA1 vs BSC050N03LSGATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD60R380C6ATMA1 от Infineon и BSC050N03LSGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 - 600V CoolMOS C6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD60R380C6ATMA1 - 600V CoolMOS C6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD60R380C6ATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 - 30V 80A 5mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC050N03LSGATMA1 - 30V 80A 5mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC050N03LSGATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD60R380C6ATMA1 BSC050N03LSGATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,41 $0,36
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 10.6 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 380 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 83 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55C to +150C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Technology CoolMOS C6 Superjunction OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
FET Type N-Channel —
Корпус PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Статус RoHS Compliant Compliant
Drain-Tab Connection Exposed pad (electrically connected to drain) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC050N03LSGATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 80 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 5 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Диапазон рабочих температур — -55 C to +150 C
Channel Type — N-Channel

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену