IQD009N06NM5ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IQD009N06NM5ATMA1 от Infineon и ISC151N08NM6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IQD009N06NM5ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,96 | $0,78 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 42 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 445 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| RDS(on) Maximum | 0.9 mΩ @ VGS = 10 V | — |
| Корпус | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-TDSON-8 FL |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 6 |
| Рабочая температура | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| Gate Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Непрерывный ток стока (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Количество выводов | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |