IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs BSC0502NSIATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IQDH88N06LM5CGSCATMA1 от Infineon и BSC0502NSIATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSC0502NSIATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET 2.3mOhm | Infineon
BSC0502NSIATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | BSC0502NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,31 | $0,85 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | 42 A | — |
| Непрерывный ток стока (TC=25°C) | 447 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | 0.86 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 3 W | — |
| Рассеиваемая мощность (TC=25°C) | 333 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge Qg typical | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] | — |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +175°C (TJ) | -55C to +150C |
| Корпус | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 9 (with exposed pad) | — |
| Cooling | Dual-side cooling capable | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 26 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.3 mOhm |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | — | 9.0 nC |
| Output Charge QOSS Typ | — | 13.5 nC |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | — | 43 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |