IQE013N04LM6ATMA1 vs ISK057N04LM6ATSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IQE013N04LM6ATMA1 от Infineon и ISK057N04LM6ATSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon

IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon

IQE013N04LM6ATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISK057N04LM6ATSA1 ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IQE013N04LM6ATMA1 ISK057N04LM6ATSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,71 $0,30
Technology OptiMOS N-channel trench MOSFET OptiMOS 6 Trench
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 205 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
On-Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typ 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ) 2.3 V (typ)
Корпус PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm)
Диапазон рабочих температур -55 °C to +175 °C -55C to +150C
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Source-Down Topology Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 15 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 64 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 39.1 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V]
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 8.3 mOhm
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 12 nC
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF
Output Capacitance (Coss) — 290 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 21 pF

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену