IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IQE012N03LM5CGSCATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IQE220N15NM5CGSCATMA1 от Infineon и IQE012N03LM5CGSCATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ АктивенInfineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IQE220N15NM5CGSCATMA1 | IQE012N03LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,18 | $1,55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 30 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | 7 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | 44 A | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 100 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 22 milliohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V | 2 V (typ, per Merlin listing) |
| Корпус | PG-WHTFN-9 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C (junction) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | — | 34 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | — | 224 A |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.15 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55 °C to +175 °C |
| Уровень MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) |
| Lead-Free | — | Yes |