IR2011STRPBF vs IR21531STRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IR2011STRPBF от Infineon и IR21531STRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IR2011STRPBF IR2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver | Infineon | SOIC-8

IR2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver | Infineon | SOIC-8

IR2011STRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IR2011STRPBF IR21531STRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,71 $0,70
Configuration High-Side and Low-Side (Independent) Half-Bridge
Number of Drivers 2 (Half-Bridge) —
Peak Source Current 1 A (typical) —
Peak Sink Current 1 A (typical) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (operational to +200 V) —
Logic Input Compatibility 3.0 V CMOS or LSTTL —
Propagation Delay (typ.) 80 ns —
Turn-On Rise Time (typ.) 35 ns —
Turn-Off Fall Time (typ.) 20 ns —
Offset Voltage Rating 200 V —
Negative Transient Tolerance dV/dt immune —
Рабочая температура -40 C to +125 C -40C to +125C
Корпус 8-SOIC (3.90 mm body width) 8-pin SOIC (SO-8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant —
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Количество выходов — 2 (high-side, low-side)
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Internal VCC Clamp — 15.6 V
High-Side Offset Voltage — up to 600 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Время нарастания — 80 ns
Время спада — 45 ns
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)
Статус RoHS — Compliant (ROHS3)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену