IRF1310NSTRLPBF vs IRF1310NPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRF1310NSTRLPBF от Infineon и IRF1310NPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRF1310NSTRLPBF | IRF1310NPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,84 | $0,98 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 36 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 73.3 nC | 73.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 160 W | 160 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| Корпус | D2PAK (TO-263AB) | TO-220AB (through-hole) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET |
| Built-in Diode | Yes (intrinsic body diode) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs value] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd value] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Статус RoHS | — | Compliant (PBF suffix) |