IRF7319TRPBF vs IRF7309TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF7319TRPBF от Infineon и IRF7309TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF - 30V Dual N/P-Channel MOSFET, 6.5A | Infineon

IRF7319TRPBF - 30V Dual N/P-Channel MOSFET, 6.5A | Infineon

IRF7319TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF - Dual N/P MOSFET Array 30V 4A/3A SO-8 | Infineon

IRF7309TRPBF - Dual N/P MOSFET Array 30V 4A/3A SO-8 | Infineon

IRF7309TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF7319TRPBF IRF7309TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,62 $0,35
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Type Dual MOSFET Array (N-channel + P-channel) —
Technology IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET IR HEXFET Generation V
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current N-channel (ID) 6.5 A —
Continuous Drain Current P-channel (ID) 4.9 A —
RDS(on) Max N-channel 29 mOhm (per Infineon product page) —
RDS(on) Max P-channel [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) max] —
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient N-ch 120 C/W (steady state) —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient P-ch 110 C/W (steady state) —
Package Type 8-SOIC (SO-8) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction) -55C to +150C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = Pb-free) —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tape & Reel
Configuration N-Channel + P-Channel (complementary half-bridge) Dual N-Channel + P-Channel (Complementary)
Polarity — N+P
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) — 4 A
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) — 3 A
On-Resistance (N-channel, max) — 50 mOhm
On-Resistance (P-channel, max) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value]
Power Dissipation (TA=25C) — 1.4 W
Корпус — 8-SO (SOIC-8)
Уровень MSL — MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Status — Yes (TRPBF suffix = Pb-free)
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену