IRLML5103TRPBF vs IRLML6346TRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRLML5103TRPBF от Infineon и IRLML6346TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRLML5103TRPBF | IRLML6346TRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,05 | $0,18 |
| Тип транзистора | P-Channel MOSFET | — |
| Maximum Drain-Source Voltage | 30 V | — |
| Continuous Drain Current | 760 mA at Ta | — |
| Power Dissipation | 540 mW at Ta | — |
| Maximum On-Resistance | 600 mOhm | — |
| Gate Charge | 3.4 nC | — |
| Technology | IR MOSFET | HEXFET Power MOSFET |
| Корпус | Micro3/SOT-23 | Micro3 / SOT-23 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | P-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage Rating | -30 V | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Рабочая температура | 175 C | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Footprint | SOT-23 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 3.4 A (TA=25C) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | 63 mOhm |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Drive Capability | — | 2.5V logic-level |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) |
| Рабочая температура перехода | — | -55C to +150C |
| Уровень MSL | — | 1 |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |