IRS2308STRPBF vs IR2104SPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRS2308STRPBF от Infineon и IR2104SPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRS2308STRPBF IRS2308STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS2308STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS2308STRPBF ✓ Активен
Infineon
IR2104SPBF IR2104SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104SPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRS2308STRPBF IR2104SPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,54 $0,41
Configuration Half-Bridge High and Low Side
Driver Type High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
Количество выходов 2 (High Side and Low Side) —
High-Side Offset Voltage Up to +600 V —
Supply Voltage (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Delay Time (typical) 220 ns —
Propagation Delay Matching [DATA_NEEDED: propagation delay matching spec] —
Bootstrap Supply Floating channel designed for bootstrap operation —
UVLO Undervoltage lockout on VCC and VBS —
Protection Features Shoot-through protection, UVLO, negative transient voltage tolerance, dV/dt immunity —
Рабочая температура -40C to +125C —
Корпус 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) 8-pin SOIC
Тип монтажа Surface Mount —
Packaging Tape and Reel —
Статус RoHS Compliant Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
Функция — Half-bridge gate driver
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
Время нарастания — 160 ns typical
Время спада — 60 ns typical
Undervoltage Lockout — Yes (VCC UVLO)
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes
Диапазон рабочих температур — -40 C to +125 C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену