ISC011N04NM7VATMA1 vs BSC005N03LS5IATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC011N04NM7VATMA1 от Infineon и BSC005N03LS5IATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC005N03LS5IATMA1 BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC011N04NM7VATMA1 BSC005N03LS5IATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,41 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 256 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.1 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 136 W —
Gate Threshold Voltage (Vth) Up to 3.2 V —
Technology Trench MOSFET, silicon OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Корпус PG-TDSON-8 (source-down) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Short-Circuit Withstand Yes (current-limited) —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +175 °C (TJ) —
RoHS Compliance Compliant (per Infineon product page) —
Уровень MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Part Number — BSC005N03LS5IATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 42 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 433 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max — 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ) at VGS = 10 mA
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 188 W
Рабочая температура перехода — -55 °C to +175 °C
Polarity — N-Channel
Статус RoHS — Compliant (per LCSC listing)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену