ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC015N06NM5LF2ATMA1 от Infineon и IAUC120N06S5L015ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ АктивенInfineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | ISC015N06NM5LF2ATMA1 | IAUC120N06S5L015ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,21 | $0,92 |
| Technology | OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 275 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 217 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.55 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | 1.3 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V | — |
| Gate-Source Voltage Rating | ±20 V | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 1.3 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 6.9 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 1.3 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 55 pF | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 90 nC | — |
| Рабочая температура перехода | -55 °C to +175 °C | — |
| Корпус | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount (exposed pad) |
| RoHS | Compliant | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 235 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | — | 1.5 mΩ |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | 88 nC |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 167 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +175C (Tj) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | — | VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Typical Application | — | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives |