ISC016N08NM8ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC016N08NM8ATMA1 от Infineon и ISC011N06LM5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC016N08NM8ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISC011N06LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC016N08NM8ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,02 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 8 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS max) 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V (typical rating) —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc] 288 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 268 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 263 W 188 W
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 1.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Диапазон рабочих температур -55 C to +150 C (junction) -55C to +175C
Корпус SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology Trench-gate OptiMOS 8 (silicon) OptiMOS 5
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Lead-free (per Infineon product page) —
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8) [DATA_NEEDED: MSL level]
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
Число выводов — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену