ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC015N03LF2SATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC028N03LF2SATMA1 от Infineon и ISC015N03LF2SATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
ISC028N03LF2SATMA1 - 30V 2.8mOhm N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS
ISC028N03LF2SATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | ISC028N03LF2SATMA1 | ISC015N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,86 | $0,96 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 30V | OptiMOS™ 2 (<= 40 V trench) |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 24 A | 43 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 128 A | 214 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.8 mOhm | 1.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.35 V | — |
| Power Dissipation at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC | 83 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55 C to +175 C | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad | PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Lead-Free | Yes (RoHS compliant) | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC=25C | — | 125 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +175C |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |