ISC040N10NM7ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC040N10NM7ATMA1 от Infineon и ISC011N04NM7VATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC040N10NM7ATMA1 ISC040N10NM7ATMA1 - 100V 130A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC040N10NM7ATMA1 - 100V 130A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC040N10NM7ATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC040N10NM7ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,92 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7 Power-Transistor
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 130 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 150 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
RDS(on) @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Корпус PG-TDSON-8-34 (SSO8) PG-TDSON-8 (source-down)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55°C to +175°C (TJ max) -55 °C to +175 °C (TJ)
Статус RoHS Compliant —
Уровень MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Technology — Trench MOSFET, silicon
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену