ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISZ072N06NM6ATMA1 от Infineon и ISC015N06NM5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | ISZ072N06NM6ATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,38 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 57 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 12.7 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typ) | — |
| Рассеиваемая мощность (TC=25°C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Корпус | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C ( Tj max 175C ) | -55 C to +175 C |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |