K4A8G085WB-BCRC vs H5AN8G6NDJR-XNC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BCRC от Samsung Electronics и H5AN8G6NDJR-XNC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WB-BCRC | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,80 | $55,68 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Организация памяти | 1G x 8 | — |
| Скорость передачи данных | 2400 Mbps | 3200 Mbps |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Рабочая температура | 0°C to 85°C | — |
| Корпус | 78-ball FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Number of Terminals | 78 | 96 |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Размер памяти | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |