K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16HA-107G:E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BYH9 от Samsung Electronics и MT41K256M16HA-107G:E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ АктивенMicron Technology
MT41K256M16HA-107G:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107G:E ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16HA-107G:E |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,30 | $4,00 |
| Density | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Скорость передачи данных | 1333 Mbps | — |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.35V |
| Рабочая температура | 0 ~ 85 °C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Корпус | 96FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Задержка CAS | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Тип памяти | — | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Разрядность шины данных | — | 16 bit |
| Количество выводов | — | 96 |