K4B4G1646E-BYK000 vs K4B4G1646E-BYMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646E-BYK000 от Samsung Electronics и K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646E-BYK000 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646E-BYK000 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,56 | $14,32 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| Корпус | 96-FBGA (BYK) | FBGA-96 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Особенности | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Access Time | 1.25 ns | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Напряжение питания | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Скорость передачи данных | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Количество выводов | — | 96 |