K4RHE086VP vs K4RAH086VB-BIWM Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4RHE086VP от Samsung Electronics и K4RAH086VB-BIWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4RHE086VP | K4RAH086VB-BIWM |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | DDR5 | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $9,90 | $4,85 |
| Тип памяти | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 16 Gb |
| Организация памяти | x8 | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] |
| Process Node | 1a-class (D1a) | — |
| Package Type | FBGA | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Тип интерфейса | DDR5 (double data rate 5) | — |
| Maximum Data Rate | [DATA_NEEDED: speed bin data rate] | — |
| Supply Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD in V] | — |
| On-Die ECC | Yes (DDR5 standard feature) | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| Диапазон рабочих температур | [DATA_NEEDED: temperature range] | — |
| Бренд | Samsung Electronics | — |
| Product Family | Samsung K4RHE DDR5 series | — |
| Typical Application | Server / client DRAM modules | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Скорость передачи данных | — | 5600 Mbps per pin |
| Напряжение питания | — | [DATA_NEEDED: VDD voltage] |
| CAS Latency (CWL) | — | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) |
| DLL | — | DLL Enabled mode operation |
| On-Die Termination | — | Yes (via Mode Register setting) |
| Internal Calibration | — | Yes (via MPC) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Posted CAS | — | Yes |
| Рабочая температура | — | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | — | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) |