K6X0808C1D-GF55T vs K6X0808C1D-GF70000 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K6X0808C1D-GF55T от Samsung Electro-Mechanics и K6X0808C1D-GF70000 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T ✓ Активен
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF70000
Бренд Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Категория DRAM DRAM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,85 $1,10
Тип памяти SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Размер памяти 256 Kbit 256 Kbit
Организация памяти 32K x 8 32K x 8 bit
Access Time 55 ns 70 ns
Напряжение питания 5.0 V —
Интерфейс Parallel Parallel
Process Technology Full CMOS —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Корпус 28-SOP (450 mil) 28-SOP
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Active Current [DATA_NEEDED: active current] —
Data Retention Voltage Low data retention voltage supported (per datasheet) —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Address Bus Width 15 bit 15 bit (A0-A14)
Разрядность шины данных 8 bit 8 bit (tri-state I/O)
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tape & Reel (T suffix) —
Supply Voltage - Min — 4.5 V
Supply Voltage - Max — 5.5 V
Technology — Low Power CMOS
Input/Output Levels — TTL compatible
Operating Current — [DATA_NEEDED: operating current]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену