K6X0808C1D-GF55T00 vs K6X0808C1D-GF70000 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K6X0808C1D-GF55T00 от Samsung Electro-Mechanics и K6X0808C1D-GF70000 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 ✓ Активен
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-GF70000
Бренд Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Категория Memory ICs DRAM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,05 $1,10
Тип памяти SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Размер памяти 256 Kbit 256 Kbit
Организация памяти 32K x 8 32K x 8 bit
Access Time 55 ns 70 ns
Интерфейс Parallel Parallel
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
Technology CMOS Low Power CMOS
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Напряжение питания [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] [DATA_NEEDED: operating current]
Data Retention Low data retention voltage supported —
Корпус 28-SOP (450 mil) 28-SOP
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Variant Tape & Reel (T00 suffix) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Supply Voltage - Min — 4.5 V
Supply Voltage - Max — 5.5 V
Address Bus Width — 15 bit (A0-A14)
Разрядность шины данных — 8 bit (tri-state I/O)
Control Signals — CE, OE, WE
Input/Output Levels — TTL compatible

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену