K6X0808C1D-GF70000 vs K6X0808C1D-GF55000 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K6X0808C1D-GF70000 от Samsung Electronics и K6X0808C1D-GF55000 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP
K6X0808C1D-GF70000 ✓ АктивенSamsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K6X0808C1D-GF70000 | K6X0808C1D-GF55000 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | DRAM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,10 | $3,20 |
| Тип памяти | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Размер памяти | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Организация памяти | 32K x 8 bit | 32K x 8 |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage - Min | 4.5 V | — |
| Supply Voltage - Max | 5.5 V | — |
| Technology | Low Power CMOS | Low-power CMOS |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | — |
| Разрядность шины данных | 8 bit (tri-state I/O) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE (active low) |
| Input/Output Levels | TTL compatible | — |
| Корпус | 28-SOP | 28-SOP |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Напряжение питания | — | 5 V |
| Write Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: write cycle time] |
| Тип выхода | — | Three-state, common data I/O |
| Memory Format | — | Volatile, no refresh required |