K6X0808C1D-GF70000 vs K6X0808C1D-GF55T00 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K6X0808C1D-GF70000 от Samsung Electronics и K6X0808C1D-GF55T00 от Samsung Electro-Mechanics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 ✓ Активен
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-GF55T00
Бренд Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
Категория DRAM Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,10 $1,05
Тип памяти SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Размер памяти 256 Kbit 256 Kbit
Организация памяти 32K x 8 bit 32K x 8
Интерфейс Parallel Parallel
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage - Min 4.5 V —
Supply Voltage - Max 5.5 V —
Technology Low Power CMOS CMOS
Address Bus Width 15 bit (A0-A14) —
Разрядность шины данных 8 bit (tri-state I/O) —
Control Signals CE, OE, WE —
Input/Output Levels TTL compatible —
Корпус 28-SOP 28-SOP (450 mil)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] [DATA_NEEDED: operating current]
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Clock Frequency — N/A (asynchronous)
Напряжение питания — [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Data Retention — Low data retention voltage supported
Packaging Variant — Tape & Reel (T00 suffix)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену