K9JUGY8J5C-BCK0 vs K9HUGY8J5B-BCK0 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K9JUGY8J5C-BCK0 от Samsung Electronics и K9HUGY8J5B-BCK0 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K9JUGY8J5C-BCK0 K9JUGY8J5C-BCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-BCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-BCK0 ✓ Активен
Samsung Electronics
K9HUGY8J5B-BCK0 K9HUGY8J5B-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9HUGY8J5B-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9HUGY8J5B-BCK0 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K9JUGY8J5C-BCK0 K9HUGY8J5B-BCK0
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Flash Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $0,00
Тип памяти NAND Flash (V-NAND TLC) NAND Flash (3D V-NAND)
Density 1 Tb [DATA_NEEDED: device density]
Cell Type Triple-Level Cell (TLC) [DATA_NEEDED: SLC/MLC/TLC/QLC]
Technology Samsung V-NAND (3D) —
Организация памяти [DATA_NEEDED: page/block organization] [DATA_NEEDED: page/block organization]
Page Size [DATA_NEEDED: page size] —
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Интерфейс [DATA_NEEDED: async/DDR or Toggle DDR interface and mode] [DATA_NEEDED: asynchronous/toggle DDR]
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] [DATA_NEEDED: VCC range]
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ range] [DATA_NEEDED: VCCQ range]
Program Time (typ) [DATA_NEEDED: tPROG] —
Read Time (typ) [DATA_NEEDED: tR] —
Корпус [DATA_NEEDED: FBGA ball count / package code] [DATA_NEEDED: package code, e.g. FBGA]
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range]
Endurance (P/E cycles) [DATA_NEEDED: program/erase endurance] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention specification] —
Статус RoHS Compliant Compliant
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Manufacturer — Samsung Electronics
Product Family — K9HUG (V-NAND flash)
Bus Width — [DATA_NEEDED: x8 or x16]
Page Program Time — [DATA_NEEDED: tPROG]
Page Read Time — [DATA_NEEDED: tR]
Block Erase Time — [DATA_NEEDED: tBERS]
Endurance — [DATA_NEEDED: P/E cycles]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену