M25P80-VMN3PB vs M25PX80-VMN3TPB Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M25P80-VMN3PB от Micron Technology и M25PX80-VMN3TPB от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron
M25P80-VMN3PB ✗ Снят с производстваСравнение характеристик
| Параметр | M25P80-VMN3PB | M25PX80-VMN3TPB |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | EEPROM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Снято с производства | Obsolete |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,75 | $0,98 |
| Тип памяти | FLASH - NOR Memory IC | NOR Flash - Serial SPI |
| Размер памяти | 8 Mbit (1M x 8) | 8 Mbit (1 M x 8) |
| Интерфейс | SPI | SPI |
| Максимальная тактовая частота | 75 MHz | 75 MHz |
| Напряжение питания | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) |
| Page Program Time | 0.64 ms typ (up to 256 bytes) | — |
| Организация памяти | 1M x 8 bit | 1 M x 8 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Корпус | 8-SO (SOIC-8) | 8-SOIC (0.154 in, 3.90 mm width) |
| Erase Capability | Sector erase and bulk erase | — |
| Write Protect | Hardware write protect (W pin) | — |
| Hold Function | Yes (HOLD pin) | — |
| Access Time | 8 ns | [DATA_NEEDED: access/clock-to-output time] |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +85C (LCSC listing); automotive flow per Arrow listing |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Read Bandwidth Feature | — | Dual input/output commands (2x read/program bandwidth) |
| Write Protection | — | Advanced write protection mechanisms |
| Packaging | — | Tape & Reel (TPB suffix) |
| Qualification | — | AEC-Q100 (per Arrow.com listing) |
| Part Status | — | Obsolete |
| Family | — | M25PX80 |
| Erase/Program Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |