M29F200FB55M3E2 vs M29F200FB55N3F2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F200FB55M3E2 от Micron Technology и M29F200FB55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29F200FB55M3E2 - 2Mbit 55ns NOR Flash 5V 44-SO | Micron
M29F200FB55M3E2 ✗ Снят с производстваMicron Technology
M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron
M29F200FB55N3F2 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29F200FB55M3E2 | M29F200FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Снято с производства | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,00 | $4,20 |
| Тип памяти | Flash - NOR Memory IC | Parallel NOR Flash |
| Density | 2097 kbits (2 Mbit) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Организация памяти | 128K x 16 bits | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit |
| Number of Words | 128 k | 128 K (x16 mode) |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Bottom Boot Block (FB) |
| Program / Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Рабочая температура | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Package Type | 44-SO (SOP44) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Бренд | Micron Technology Inc. | — |
| Programming Voltage | [DATA_NEEDED: program/erase supply voltage] | — |
| Sector Organization | [DATA_NEEDED: sector/erase block organization] | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithm |
| Erase | — | Embedded block erase controller |
| Корпус | — | 48-TSOP I |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |