M29F200FB55N3F2 vs M29F200FT55M3F2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F200FB55N3F2 от Micron Technology и M29F200FT55M3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29F200FB55N3F2 M29F200FT55M3F2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $4,20 $1,85
Тип памяти Parallel NOR Flash Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Организация памяти 256K x 8 bit / 128K x 16 bit 256K x 8 / 128K x 16
Number of Words 128 K (x16 mode) —
Bits per Word 16 bits —
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Boot Block Architecture Bottom Boot Block (FB) Top Boot Block
Programming Embedded byte/word program algorithm —
Erase Embedded block erase controller —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Корпус 48-TSOP I 44-pin SO (TSOP)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (T/R)
Интерфейс Parallel —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Programming Interface — Embedded program/erase controller, byte or word
Automotive Qualification — Yes
Number of Words (x16 mode) — 128 K
Bits per Word (x16 mode) — 16 bits
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену