M29F200FT55M3E2 vs M29F200FT55N3F2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F200FT55M3E2 от Micron Technology и M29F200FT55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29F200FT55M3E2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash SOIC-44 | Micron
M29F200FT55M3E2 ✗ Снят с производства
Сравнение характеристик
| Параметр | M29F200FT55M3E2 | M29F200FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Снято с производства | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $3,83 | $0,00 |
| Тип памяти | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash, Parallel |
| Размер памяти | 2 Mbit (2097 kbits) | — |
| Организация памяти | 128K x 16 bits | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Интерфейс | Parallel | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | Top Boot Block |
| Program / Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Рабочая температура | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Package Type | 44-SO (SOP-44) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Cell Type | SLC (Single-Level Cell) | — |
| Erase Block Structure | Boot block sector architecture | — |
| Programming Mode | Byte / Word | — |
| Status Signaling | Data polling / toggle bit | — |
| Статус RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Статус жизненного цикла | End of Life (EOL) - last-time-buy / broker market | — |
| Density | — | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Number of Words | — | 128 K |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Program/Erase | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Корпус | — | 48-pin TSOP |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |