M29F400FB55M3F2 vs M29F800FB55M3F2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F400FB55M3F2 от Micron Technology и M29F800FB55M3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F400FB55M3F2 M29F400FB55M3F2 - 4Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FB55M3F2 - 4Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FB55M3F2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29F400FB55M3F2 M29F800FB55M3F2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,72 $3,72
Тип памяти NOR Flash, Parallel NOR Flash, Parallel
Density 4194 kbits (4 Mbit) 8389 kbits (8 Mbit)
Организация памяти 512K x 8 / 256K x 16 512K x 16-bit / 1M x 8-bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Position Bottom boot block —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Grade Automotive (Auto Grade, 125C) —
Package Type 44-pin SO (SOP), wide body —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Programming Embedded byte/word program algorithm Embedded byte/word program algorithms
Erase Embedded program/erase controller, block erase —
Packaging Tape and Reel (TR) —
Статус RoHS RoHS-compliant package (F2 suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Bus Width 8-bit or 16-bit (selectable) —
Количество выводов 44 —
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Boot Block Type — Bottom Boot Block
Интерфейс — Parallel, Asynchronous
OTP Area — 64 byte
Automotive Qualification — Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C)
Корпус — 44-pin SO (SOIC-44)
Packing — Tape & Reel (T/R)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену