M29W128GH70ZS3E vs M29W128GL70ZS3E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W128GH70ZS3E от Micron Technology и M29W128GL70ZS3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W128GH70ZS3E M29W128GH70ZS3E - 128Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W128GH70ZS3E - 128Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W128GH70ZS3E ✓ Активен
Micron Technology
M29W128GL70ZS3E M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W128GH70ZS3E M29W128GL70ZS3E
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,78 $2,39
Тип памяти Parallel NOR Flash (SLC) NOR Flash
Density 128 Mbit (16 MB) —
Организация памяти 8M x16 (x8/x16 capable family) —
Access Time 70 ns 70 ns
Напряжение питания 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V (3 V class)
Интерфейс Parallel, Asynchronous Parallel
Boot Block Top Boot Block —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C (per distributor code data)
Корпус 64-FBGA (11 x 13 mm), LBGA 64-FBGA (11x13 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology NOR Flash, SLC —
Common Flash Interface Yes —
Block Protection Hardware/Software block protection —
Automotive Temperature Grade Yes (-40C to +125C) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Размер памяти — 128 Mbit (16 MB)
Family — M29W128G (GL variant)
Bus Width — x16
Boot Block Architecture — Bottom boot (GL)
Program/Erase Supply — Single supply (no separate VPP required)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену