M29W128GL70N3F vs M29W128GH70N3F Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W128GL70N3F от Micron Technology и M29W128GH70N3F от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W128GL70N3F M29W128GL70N3F - 128Mbit Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70N3F - 128Mbit Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70N3F ✓ Активен
Micron Technology
M29W128GH70N3F M29W128GH70N3F - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GH70N3F - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GH70N3F ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W128GL70N3F M29W128GH70N3F
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,48 $0,00
Тип памяти NOR Flash NOR Flash
Memory Format FLASH - NOR —
Density 128 Mbit 128 Mbit (16 MB)
Организация памяти 8M x16 / 16M x8 8M x16 / 16M x8
Интерфейс Parallel Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
Напряжение питания [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
Корпус 56-TSOP 56-TSOP
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Block Organization Variant GL (boot-block) —
Speed Grade Code -70 —
Package Finish Code N3F (lead-free TSOP) —
Programming Interface Command-set parallel bus, embedded state machine —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Supply Voltage (VCC) — 3 V (2.7 V to 3.6 V)
Block Architecture — [DATA_NEEDED: block size/organization]
Erase/Program Cycles — [DATA_NEEDED: endurance rating]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]
CFI Compliant — Yes
Supply Current - Read — [DATA_NEEDED: ICC read]
Supply Current - Program/Erase — [DATA_NEEDED: ICC write]
Programming Voltage — Single supply (no separate VPP required)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену