M29W160ET70N3E vs M29W160ET70N3F Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W160ET70N3E от Micron Technology и M29W160ET70N3F от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W160ET70N3E M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E ✓ Активен
Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W160ET70N3E M29W160ET70N3F
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $4,50 $2,80
Тип памяти NOR Flash (Parallel) Parallel NOR Flash
Размер памяти 16 Mbit 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16)
Организация памяти 2M x 8 / 1M x 16 —
Access Time 70 ns 70 ns
Интерфейс Parallel —
Напряжение питания 3 V / 3.3 V (nominal) 3 V / 3.3 V
Boot Block Location Top boot —
Корпус 48-TSOP 48-pin TSOP
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Bus Width Selection BYTE# pin, x8 or x16 —
Sector Protection Hardware boot block protection —
Programming Type Automatic program and erase —
Packing Tray (RoHS-compliant package, standard packing) —
Статус RoHS Compliant (E suffix) RoHS-compliant package (F option)
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Technology — CMOS
Boot Block Architecture — Top boot
Bus Configuration — x8 / x16 selectable
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Qualification — AEC-Q100 qualified
Packaging — Tape and Reel
Programming Interface — Parallel command set
Number of Terminals — 48

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену