M29W400FB55N3E vs M29W400FT55N3E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W400FB55N3E от Micron Technology и M29W400FT55N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ Активен
Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W400FB55N3E M29W400FT55N3E
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория EEPROM Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $2,80
Тип памяти NOR Flash (parallel) Flash - NOR Memory IC
Density 4 Mbit (4194 kbits) —
Организация памяти 512K x 8 bit / 256K x 16 bit —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read)
Интерфейс Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) —
Programming Time 10 us per byte/word typical —
Boot Block Hardware Protection Yes —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Корпус 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-TSOP I
Pins 48 —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tray
Статус RoHS Compliant —
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
Размер памяти — 4 Mbit
Sector Size — 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block)
Boot Block Position — Top (FT suffix)
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 48
Package Code / Shape — TSSOP / Rectangular
Уровень чувствительности к влаге (MSL) — 3 (168 Hours)
Peak Reflow Time — 30 s max
Companion Access-Time Grade — 55 ns and 70 ns versions available in family

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену