M29W800FB70N3E vs M29W400FB55N3E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W800FB70N3E от Micron Technology и M29W400FB55N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ Активен
Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W800FB70N3E M29W400FB55N3E
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs EEPROM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,95 $0,00
Тип памяти NOR Flash NOR Flash (parallel)
Density 8 Mbit (8388608 bits) 4 Mbit (4194 kbits)
Организация памяти 512K x 16 / 1M x 8 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
Разрядность шины данных x8/x16 (BYTE# selectable) —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read 2.7 V to 3.6 V
Programming Time 10 us per byte/word (typical) 10 us per byte/word typical
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
Интерфейс Parallel Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Корпус 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-TSOP I, 12 x 20 mm
Число выводов 48 —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS RoHS compliant (plastic TSOP-48) Compliant
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
Block Architecture — 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
Packaging — Tray
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену