M29W800FT70N3E vs M29W800FT70N3F Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29W800FT70N3E от Micron Technology и M29W800FT70N3F от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | M29W800FT70N3E | M29W800FT70N3F |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Flash | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Obsolete |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,05 | $2,10 |
| Тип памяти | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash, Parallel |
| Density | 8 Mbit | 8 Mbit |
| Организация памяти | 1M x 8 / 512K x 16 | 1M x 8 / 512K x 16 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Programming / Erase Supply | Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) | — |
| Boot Block Location | Top boot block (FT variant) | — |
| Bus Width | 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) | — |
| Интерфейс | Parallel, address/data bus | Parallel, x8/x16 (BYTE# selectable) |
| Рабочая температура | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Корпус | 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) | 48-TSOP I |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Block Organization | [DATA_NEEDED: block size/organization] | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Напряжение питания | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Boot Block | — | Top boot (T variant) |
| CFI Support | — | Yes (Common Flash Interface) |
| Block Protection | — | Yes, with temporary unprotect |
| Reset/Power-Down Pin | — | Yes (RP#) |
| Erase Suspend/Resume | — | Yes |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| Part Status | — | Obsolete |
| Program/Erase Supply | — | Single 2.7 V to 3.6 V |