MT29F2G08ABAEAWP-IT:E vs MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT29F2G08ABAEAWP-IT:E от Micron Technology и MT29F1G08ABAEAWP-IT:E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - 2Gb SLC NAND Flash, 48-TSOP | Micron

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - 2Gb SLC NAND Flash, 48-TSOP | Micron

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E ✓ Активен
Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT29F2G08ABAEAWP-IT:E MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,65 $1,60
Тип памяти Non-volatile NAND Flash (SLC) —
Размер памяти 2 Gbit (256 M x 8) 1 Gbit (128 MB)
Организация памяти 2048 blocks x 64 pages x 2112 bytes (x8) 128M x 8
Page Size (x8) 2112 bytes (2048 + 64 spare) —
Page Size (x16) 1056 words (1024 + 32 spare) —
Block Size 64 pages (128 KB + 4 KB spare) 128 KB
Plane Size 2 planes x 1024 blocks per plane —
Интерфейс Asynchronous Parallel (x8 / x16 selectable) Parallel
ONFI Compliance ONFI 1.0 —
Supply Voltage (Vcc) 2.7 V to 3.6 V —
Рабочая температура -40C to +85C (Industrial) -40C to +85C
Корпус 48-pin TSOP-I (Type I) TSOP-48
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Особенности Hardware WP, hardware reset, copy-back, OTP, ECC spare area —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 3 —
Напряжение питания — 3.3 V
Access Time — 25 ns
Page Size — 2048 bytes + 64 bytes spare
Program Time — 200 us (typical)
Erase Time — 2 ms (typical)
Endurance — 100K program/erase cycles
Data Retention — 10 years

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену