MT40A256M16GE-075E:B vs K4A8G165WB-BCPB Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT40A256M16GE-075E:B от Micron Technology и K4A8G165WB-BCPB от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT40A256M16GE-075E:B K4A8G165WB-BCPB
Бренд Micron Technology Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,95 $2,30
Тип памяти DDR4 SDRAM —
Размер памяти 4 Gbit —
Организация памяти 256M x 16 512M x 16
Memory Interface Parallel —
Clock Frequency 1.33 GHz —
Скорость передачи данных 2666 MT/s (DDR4-2666) —
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV/+250 mV —
Internal Banks 16 —
Refresh 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C Auto and Self Refresh
I/O Type 1.2 V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable generation —
Special Features Temperature controlled refresh (TCR) —
Корпус 96-FBGA (9 x 14 mm) 96-ball FBGA (TFBGA-96)
Тип монтажа Surface Mount —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] 0°C to 85°C
Access Time [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] —
Density — 8 Gb
Speed Grade — 2133 Mbps (PC4-17000)
Напряжение питания — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Burst Length — 8 (BL8)
Burst Type — Sequential and Interleave
Задержка CAS — Programmable (e.g., 15, 16, 18)
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Position — BOTTOM
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену