MT40A512M16JY-07EAIT:B vs NT6AN8T0SA Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT40A512M16JY-07EAIT:B от Micron Technology и NT6AN8T0SA от Nanya Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Активен
Nanya Technology
NT6AN8T0SA NT6AN8T0SA - 2Gb LPDDR2 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T0SA - 2Gb LPDDR2 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T0SA ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT40A512M16JY-07EAIT:B NT6AN8T0SA
Бренд Micron Technology Nanya Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,10 $2,88
Тип памяти DDR4 SDRAM LPDDR2 SDRAM
Размер памяти 8 Gbit —
Организация памяти 512M x 16 64M x 32
Clock Frequency 1.33 GHz —
Скорость передачи данных 2666 MT/s 1066 Mbps (533 MHz)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
Интерфейс Parallel —
Корпус 96-FBGA (8x14) FBGA
Диапазон рабочих температур -40°C to +105°C (AIT grade) -30°C to +85°C
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant —
Density — 2Gb
Напряжение питания — 1.2V
I/O Voltage — 1.2V
Тип монтажа — Surface Mount
Статус RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Refresh Period — 64ms at 85°C
Burst Length — 4 or 8
On-Die Termination — Yes
DLL — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену