MT40A512M16TB-062E:J vs NT5AD512M16C4-JR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT40A512M16TB-062E:J от Micron Technology и NT5AD512M16C4-JR от Nanya Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J ✓ Активен
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT40A512M16TB-062E:J NT5AD512M16C4-JR
Бренд Micron Technology Nanya Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,10 $73,75
Тип памяти SDRAM - DDR4 DDR4 SDRAM
Размер памяти 8Gbit (512M x 16) —
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks each) —
Prefetch Architecture 8n-bit —
Корпус 96-FBGA (7.5x13.5 mm) TFBGA-96
Диапазон рабочих температур 0°C to 95°C 0°C to +95°C
Статус RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Тип монтажа Surface Mount —
Организация памяти — 512M x16
Density — 8 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Скорость передачи данных — 1.6 GHz (DDR4-3200)
Standby Current — 0.023 A (max)
Number of Terminals — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену