MT41K128M16JT-125-ITK vs MT41K128M16JT-125:K Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT41K128M16JT-125-ITK от Micron Technology и MT41K128M16JT-125:K от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT41K128M16JT-125-ITK MT41K128M16JT-125-ITK - 2Gb DDR3L SDRAM 1.35V | Micron

MT41K128M16JT-125-ITK - 2Gb DDR3L SDRAM 1.35V | Micron

MT41K128M16JT-125-ITK ✓ Активен
Micron Technology
MT41K128M16JT-125:K MT41K128M16JT-125:K - 2Gb DDR3L SDRAM 1600MT/s | Micron Technology

MT41K128M16JT-125:K - 2Gb DDR3L SDRAM 1600MT/s | Micron Technology

MT41K128M16JT-125:K ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT41K128M16JT-125-ITK MT41K128M16JT-125:K
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $10,60 $9,75
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Размер памяти 2 Gbit —
Memory Organization 128M x 16 —
Memory Interface Parallel —
Clock Frequency 800 MHz (DDR3L-1600) 800 MHz (1600 MT/s data rate)
Access Time 13.75 ns —
Напряжение питания 1.35 V (1.5 V DDR3-compatible mode supported) —
Рабочая температура -40C to +95C 0C to +95C
Корпус 96-FBGA (8x14 mm) 96-FBGA (8x14 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes Supported
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes Supported
Статус RoHS Compliant Compliant
Memory Capacity — 2 Gbit
Организация памяти — 128M x 16
Интерфейс — Parallel
Access Time (Clock Cycle) — 13.75 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Prefetch Architecture — 8n-bit
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask — Supported
On-Die Termination — Dynamic ODT supported

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену