MT41K256M16HA-107:E vs NT5CC256M16ER-EK Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT41K256M16HA-107:E от Micron Technology и NT5CC256M16ER-EK от Nanya Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT41K256M16HA-107:E | NT5CC256M16ER-EK |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Nanya Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,00 | $24,00 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Напряжение питания | 1.35V | 1.35 V |
| Корпус | 96-FBGA (9x14 mm) | TFBGA-96 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | 0°C to 95°C (Tc) | 0°C to +95°C |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Скорость передачи данных | 1866 MT/s | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Количество выводов | 96 | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Задержка CAS | 13 (typical) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |