P3041NSE1PNB vs P3041NXN1MMB Сравнение
Подробное сравнение бок о бок P3041NSE1PNB от NXP Semiconductors и P3041NXN1MMB от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
NXP Semiconductors
P3041NSE1PNB - 1.5GHz Quad-Core QorIQ P3 MPU | NXP | Networking
P3041NSE1PNB ✓ АктивенNXP Semiconductors
P3041NXN1MMB - QorIQ P3 Quad-Core 1.2GHz MPU | NXP Semiconductors
P3041NXN1MMB ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | P3041NSE1PNB | P3041NXN1MMB |
|---|---|---|
| Бренд | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Категория | Microcontrollers | Microcontrollers |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $198,50 | $215,00 |
| Manufacturer | NXP USA Inc. | — |
| Product Family | QorIQ P3 (P3041) | — |
| Core Architecture | PowerPC e500mc | PowerPC e500mc |
| Number of Cores | 4 | 4 |
| Data Width | 32-bit | — |
| Maximum Core Frequency | 1.5 GHz | 1.2 GHz |
| Speed Grade / Suffix | 1500 (NSE = standard temp, SEC engine, 1500 MHz) | — |
| L1 Cache (per core) | 32 KB I-cache + 32 KB D-cache | — |
| L2 Cache (per core) | 128 KB backside | — |
| Platform Cache (shared) | 1 MB CoreNet | — |
| Корпус | 1295-ball FCPBGA (37.5 x 37.5 mm) | 1295-FCPBGA (FCBGA, 37.5x37.5 mm) |
| Memory Controller | DDR3 / DDR3L with ECC (up to 32-bit wide) | DDR3 / DDR3L with ECC (per product brief) |
| Ethernet | 2 x 10 Gbit/s + 5 x 1 Gbit/s ETSEC | — |
| PCIe | 4 x PCIe Gen 2 controllers | — |
| Security Engine | SEC 5.0 (IPSec, SSL/TLS, 3GPP) | — |
| Other Peripherals | 2 x SATA 2.0, 2 x USB 2.0, I2C, SPI, UART, GPIO | — |
| Рабочая температура | 0C to +105C Tj (standard temp) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant (BGA solder-ball lead-free per NXP product family) |
| Разрядность шины данных | — | 32-bit |
| Family | — | QorIQ P3 |
| Тип монтажа | — | Surface Mount (BGA) |
| Encryption Acceleration | — | NonENC (no SEC engine) |
| Product Variant | — | r1.1 silicon revision |
| Диапазон рабочих температур | — | -40C to +105C |
| High-Speed I/O | — | Multiple SerDes lanes for 10 GbE, GbE, PCIe (per family) |
| Process Technology | — | [DATA_NEEDED: process node] |
| Supply Voltage (Core) | — | [DATA_NEEDED: Vdd_core] |